感知“利”器：加速度计内嵌压力传感器的单硅片复合传感器
随着MEMS技术的不断进步，MEMS填充传感器以其芯片结构尺寸更加小、制作成本更加较低、性能更加出众和先前加装应用于成本更加低等优势，在各行各业获得了广泛应用，例如：汽车电子、航空航天、消费类电子产品、生物医学等等。为此，业界于是以大大投放大量的科研能力来研发有所不同类型的填充传感器芯片，以符合大大快速增长的市场需求。
据麦姆斯咨询此前报导，InvenSense（不应美盛）在已完成对Sensirion（盛思锐）压力传感器部门的并购后，修筑了一个全新的细分市场领域。2017年末，InvenSense宣告全球首款、同时也是唯一一款7轴运动传感器——ICM-20789构建规模量产。这款7轴运动传感器将InvenSense领先的6轴（3轴加速度计+3轴陀螺仪）MEMS运动传感器和世界级气压传感器（高度计）构建在一起，获取了与当今最先进设备的并存传感器性能非常的解决方案。
InvenSense新的发售的7轴运动人组传感器ICM-20789的逆向分析然而，传统的填充传感器芯片结构多以单层或多层键合结构居多，一般来说使用双面微机械制作工艺、键合工艺、Cavity-SOI工艺、表面微机械制作工艺以及CMOS-MEMS技术等加工生产。例如，传统的加速度和压力填充传感器使用硅-玻璃结构方式，通过硅片背面两步各向异性湿法光刻方法分别构成压力薄膜和质量块，然后利用硅-硅键通或硅-玻璃键合来密封压力传感器的压力参照腔体，构成加速度传感器质量块的运动间隙以及构成传感器芯片基座，最后再行利用硅片正面干法刻蚀获释加速度传感器可一动结构。这种双面体硅工艺和键通技术制作的填充传感器结构尺寸相当大，工艺很简单，制作成本很高。此外，有所不同键合材料之间的热膨胀系数有所不同以及键合过程中所引进的瓦解形变都会好转传感器的输入稳定性，特别是在在温度环境较为险恶的条件下。
此外，表面微机械制作的填充传感器还有可能再次发生台阶覆盖过热（Step-coverage）和生锈壮烈牺牲层过程中产生的薄膜黏附过热，这些不确认因素都大大提高了工艺的复杂程度，减少了成品率。到目前为止，传统的加速度和压力填充传感器芯片尺寸虽然早已从尺寸相当大的多片键合结构发展到了芯片尺寸较小的单硅片单面填充传感器结构，但是这些填充传感器中各个检测单元皆使用Side-by-Side的构建方式，这种构建方式不会闲置大量的芯片空间，容许了填充传感器芯片尺寸的更进一步增大，更进一步降低成本。
本文关键词：新葡萄88805官网,感知,“,利,”,器,加速度计,内嵌,压力,传感器
本文来源：新葡萄88805官网-www.mhbxw.cn